Новые накопители инфы, разработанные компанией Самсунг Electronics, уже запустили в серийное создание.

Карты памяти употребляют новейшую систему с конфигурацией фазы PRAM, которая позволяет сохранять информацию методом затвердевания микроскопичных кристаллов.

Новый метод запоминания позволяет ускорить процесс записи на кристаллический накопитель в 7 раз, а стирание файлов происходит в 10 раз резвее, чем на обыденных флеш-картах.

Механизм записи ячеек подразумевает переход полупроводниковых частиц из кристаллической фазы в бесформенную и назад, что обеспечивается электронными импульсами.

Быстродействие PRAM, которая интерпретирует фазы как нули и единицы, зависит сначала, от скорости перехода частиц из расплавленного состояния в кристаллизированное.

В процессе опыта с ячейками PRAM  размером 20 нанометров была получена скорость перехода в 16 наносекунд, что намного резвее какой-нибудь технологии в мире. Как подразумевают спецы Самсунг, внедрение системы PRAM в портативной электронике позволит прирастить время работы аккумов на 20%.